GAAS ma odpowiednią szerokość pasma, która może skutecznie wchłaniać energię fotonu ze światła słonecznego, a jej wysoka ruchliwość elektronów sprzyja szybkiej transmisji elektronów wewnątrz półprzewodnika, zmniejszając utratę energii i znacznie poprawiając wydajność.
[Wersja PDF]
Menu
